Sistema PECVD (Depósito Químico en Fase Vapor Asistido por Plasma) de Rotación Inclinada para Depósito de Películas Delgadas y Síntesis de Nanomateriales

Máquina PECVD

Sistema PECVD (Depósito Químico en Fase Vapor Asistido por Plasma) de Rotación Inclinada para Depósito de Películas Delgadas y Síntesis de Nanomateriales

Número de artículo: TU-PE02

Grado de Vacío Último: ≤5×10-5Pa Potencia de Salida de Plasma: 500W—1000W Precisión de Control de Temperatura: ±0.5℃
Calidad Asegurada Fast Delivery Global Support

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Visión General del Producto

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Este avanzado sistema de procesamiento térmico asistido por plasma representa la cúspide de la tecnología de depósito de películas delgadas, diseñado específicamente para investigadores y fabricantes industriales que requieren recubrimientos de alta pureza. Al integrar un mecanismo de rotación inclinado con capacidades de Depósito Químico en Fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD), el equipo permite la creación de películas sólidas a partir de precursores en fase vapor a temperaturas significativamente más bajas que las de la CVD térmica tradicional. Esta capacidad es esencial para procesar sustratos sensibles a la temperatura, incluidos materiales de bajo punto de fusión y estructuras compuestas complejas, sin comprometer la integridad del material subyacente.

El sistema está diseñado para servir como una estación de trabajo versátil para la ciencia de materiales, la microelectrónica y la nanotecnología. Facilita el crecimiento de dieléctricos, semiconductores y películas metálicas de alta calidad a través de un entorno controlado con precisión donde el plasma, en lugar del calor solo, activa los gases fuente. Esta unidad es particularmente efectiva para aplicaciones en iluminación LED, semiconductores de potencia y la fabricación de dispositivos MEMS, ofreciendo una plataforma robusta tanto para procesos estandarizados como para el desarrollo experimental de materiales en entornos exigentes de laboratorio y producción piloto.

Construido para una fiabilidad operativa a largo plazo, este equipo cuenta con una arquitectura de vacío de acero inoxidable 316 de alta calidad y automatización avanzada. La integración de bombas de vacío de alto rendimiento y controladores de flujo másico de precisión garantiza resultados consistentes y repetibles a través de miles de ciclos. Ya sea utilizado para la síntesis de materiales 2D como el grafeno o para el depósito de recubrimientos ópticos protectores, el sistema ofrece la precisión técnica y la durabilidad mecánica requeridas para la rigurosa investigación y desarrollo industrial.

Características Clave

  • Precisión de Depósito a Baja Temperatura: Al utilizar plasma de alta energía para estimular reacciones químicas, este sistema logra una formación de película superior a temperaturas tan bajas como 200°C a 450°C. Esto protege los sustratos delicados y reduce el presupuesto térmico de todo el proceso de fabricación.
  • Mecanismo de Rotación Inclinado: La arquitectura única del portamuestras rotativo, ajustable de 0-20 rpm, garantiza una uniformidad de recubrimiento excepcional en toda la superficie del sustrato. Esto es particularmente beneficioso para geometrías complejas y para prevenir el agotamiento localizado de precursores durante el depósito de alta tasa.
  • Arquitectura de Vacío de Alto Rendimiento: La cámara está construida en acero inoxidable 316 y respaldada por un sistema de bombeo de doble etapa, que incluye una bomba molecular de turbina de alta capacidad. Esta configuración logra un grado de vacío final de ≤5×10-5Pa, asegurando un ambiente libre de contaminantes para el crecimiento de materiales sensibles.
  • Control Avanzado de Potencia de Plasma: Equipado con opciones de potencia DC y RF (500W-1000W), el sistema ofrece modos de acoplamiento flexibles, incluidos acoplamiento inductivo o capacitivo de placa. Esto permite a los usuarios adaptar la densidad y energía del plasma a requisitos específicos de precursores.
  • Control de Flujo Másico de Cuatro Canales: Un sofisticado sistema de suministro de gas que cuenta con cuatro canales MFC independientes permite la mezcla precisa de precursores y gases portadores, permitiendo la síntesis de compuestos ternarios y cuaternarios complejos con estequiometría exacta.
  • Gestión Térmica PID de Precisión: Utilizando un controlador PID SHIMADEN de alta precisión, el sistema mantiene la estabilidad de la temperatura dentro de ±0,5℃. Este nivel de control es vital para mantener tasas de reacción consistentes y la morfología de la película a lo largo del ciclo de depósito.
  • Diseño Robusto de Cámara: La cámara de vacío de 500 mm x 550 mm cuenta con un puerto de observación de vista completa con un deflector protector, permitiendo a los operadores monitorear de manera segura la descarga de plasma y el proceso de depósito en tiempo real sin comprometer la integridad térmica o de vacío.
  • Adhesión y Calidad de Película Superior: La naturaleza energética del proceso de depósito por plasma resulta en películas con excelente adherencia a los sustratos, alta densidad y mínimos poros, reduciendo significativamente el riesgo de agrietamiento o delaminación en el producto terminado.

Aplicaciones

Aplicación Descripción Beneficio Clave
Semiconductores de Potencia Depósito de capas aislantes, óxidos de puerta y películas de pasivación SiNx en obleas GaN o SiC. Protege la integridad del dispositivo mediante un procesamiento de bajo presupuesto térmico.
Fabricación MEMS udioproducción de películas delgadas de alta calidad para microactuadores, sensores y componentes estructurales. Entrega recubrimientos uniformes y resistentes a grietas en microestructuras 3D intrincadas.
Células Solares de Película Delgada Crecimiento de películas de silicio amorfo y microcristalino para dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia. Permite altas tasas de depósito en grandes áreas con propiedades electrónicas consistentes.
Recubrimientos Ópticos Aplicación de capas antirreflejantes y filtros ópticos en sustratos de vidrio o plástico. Asegura un control preciso del espesor y alta claridad óptica a bajas temperaturas.
Nanotecnología Síntesis de nanomateriales, incluido el crecimiento de nanotubos de carbono, nanohilos y grafeno. Proporciona control a nivel molecular sobre la morfología sin necesidad de catalizadores metálicos.
Modificación de Superficies Mejora de componentes industriales con películas de carbono tipo diamante (DLC) resistentes al desgaste o biocompatibles. Mejora significativamente la vida útil y el rendimiento de los componentes en ambientes hostiles.
Fabricación de LED Depósito de películas dieléctricas y semiconductores para diodos emisores de luz de alto brillo. Optimiza la extracción de luz y la fiabilidad del dispositivo a través de capas de película de alta pureza.

Especificaciones Técnicas

Categoría de Parámetro Detalle de Especificación Datos Técnicos (Modelo: TU-PE02)
Manejo de Sustratos Tamaño del Portamuestras 1-6 pulgadas
Velocidad de Rotación 0-20 rpm ajustable
Rendimiento Térmico Temperatura Máxima de Calentamiento ≤800℃
Precisión de Control ±0,5℃ (Controlador PID SHIMADEN)
Gestión de Gases Tipo de Control de Flujo Controlador de Medidor de Flujo Másico (MFC)
Canales de Gas 4 canales independientes
Puerto de Entrada de Gas Conector VCR φ6
Sistema de Vacío Dimensiones de la Cámara Φ500mm x 550mm
Material de la Cámara Acero inoxidable 316
Grado de Vacío Final ≤5×10-5Pa
Bomba Primaria Bomba de vacío de paletas 15L/S
Bomba de Alto Vacío Bomba de turbina (1200L/s o 1600L/s)
Sensores de Vacío Manómetros de ionización / resistencia / película
Puertos de Vacío CF200 (Bomba), KF25 (Alivio)
Fuente de Plasma Tipo de Potencia de Fuente Potencia DC o potencia RF
Rango de Potencia de Salida 500W — 1000W
Potencia de Polarización 500V
Modo de Acoplamiento Acoplado inductivamente o capacitivo de placa
Requisitos de Instalación Suministro de Energía Eléctrica CA 220V / 380V; 50Hz
Consumo de Potencia Nominal 5kW
Método de Enfriamiento Enfriamiento por agua circulante
Características Físicas Dimensiones 900mm x 820mm x 870mm
Peso del Equipo 200kg
Tipo de Acceso Puerta de apertura frontal con tapa de SS 304

Por Qué Elegir Este Producto

  • Ingeniería Avanzada de Bajo Presupuesto Térmico: Nuestro sistema está específicamente optimizado para producir películas de grado industrial a temperaturas que preservan las propiedades de los sustratos sensibles, proporcionando una ventaja crítica para la electrónica de próxima generación.
  • Fiabilidad de Grado Industrial: Construido con acero inoxidable 316 compatible con vacío alto y componentes premium como controladores SHIMADEN, la unidad está diseñada para operación continua en entornos rigurosos de I+D y producción.
  • Versatilidad de Proceso Inigualable: Con mezcla de gas de cuatro canales y opciones de plasma híbrido RF/DC, los usuarios pueden cambiar entre el depósito de dieléctricos, semiconductores y recubrimientos duros con una reconfiguración mínima.
  • Resultados Impulsados por la Precisión: La combinación de movimiento rotatorio del sustrato y control de flujo másico de alta precisión asegura que la uniformidad y el espesor de la película se mantengan dentro de las tolerancias más exigentes requeridas por la ciencia de materiales moderna.
  • Soporte Escalable y Personalizable: Más allá de las especificaciones estándar, nuestro equipo de ingeniería proporciona servicios integrales de personalización tanto para hardware como para software, asegurando que el equipo se integre perfectamente con su flujo de proceso específico.

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